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J-GLOBAL ID：200903031684758746

超電導体の製造方法

Inventor： 真部 高明 ,  山口 巌 ,  相馬 貢 ,  熊谷 俊弥 ,  渡辺 知宏
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002136185
Publication number (International publication number)：2003327496
Application date： May. 10, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 エピタキシャル配向した希土類123型超電導体膜を低められた温度での熱処理が可能な超電導体の製造方法を提供すること。【解決手段】 基材上にYbBa2Cu3O7-yの組成を持つ希土類123構造型酸化物超電導体膜を設けた超電導体の製造方法において、炭酸バリウムまたはフッ化バリウムとイッテルビウム酸化物と銅酸化物の混合物からなる前駆体膜を基材上に形成し、次に該前駆体膜を、酸素分圧0.25atm〜1atmの高酸素分圧雰囲気下で温度675〜800°Cの範囲にて熱処理を行いYbBa2Cu4O8を形成させる1段階、酸素分圧1×10-5〜1×10-3atmの低酸素分圧下で温度675〜850°Cの範囲にて熱処理を行い正方晶YbBa2Cu3O6を形成させる第2段階、及び酸素分圧0.2atm〜1atmの高酸素分圧下で温度200〜500°Cの範囲にて熱処理を行い斜方晶YbBa2Cu3O7-yを形成させる第3段階の熱処理を順次行うことにより、エピタキシャル配向したYbBa2Cu3O7-y膜を形成させることを特徴とする超電導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

基材上にYbBa2Cu3O7-yの組成を持つ希土類123構造型酸化物超電導体膜を設けた超電導体の製造方法において、炭酸バリウムまたはフッ化バリウムとイッテルビウム酸化物と銅酸化物の混合物からなる前駆体膜を基材上に形成し、次に該前駆体膜を、酸素分圧0.25atm〜1atmの高酸素分圧雰囲気下で温度675〜800°Cの範囲にて熱処理を行いYbBa2Cu4O8を形成させる1段階、酸素分圧1×10-5〜1×10-3atmの低酸素分圧下で温度675〜850°Cの範囲にて熱処理を行い正方晶YbBa2Cu3O6を形成させる第2段階、及び酸素分圧0.2atm〜1atmの高酸素分圧下で温度200〜500°Cの範囲にて熱処理を行い斜方晶YbBa2Cu3O7-yを形成させる第3段階の熱処理を順次行うことにより、エピタキシャル配向したYbBa2Cu3O7-y膜を形成させることを特徴とする超電導体の製造方法。

IPC (7)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C01G 3/00 ,  C30B 1/04 ,  C30B 1/10 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565

FI (7)：

C30B 29/22 501 A ,  C01G 1/00 ZAA S ,  C01G 3/00 ,  C30B 1/04 ,  C30B 1/10 ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 D

F-Term (26)：

4G047JA03 ,  4G047JB02 ,  4G047JC02 ,  4G047KA04 ,  4G047KD02 ,  4G047KE06 ,  4G047LA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BC53 ,  4G077CA01 ,  4G077CA04 ,  4G077CA08 ,  4G077CA09 ,  4G077JA06 ,  4G077JB02 ,  4G077JB07 ,  4G077JB12 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB21 ,  5G321DB35 ,  5G321DB46 ,  5G321DB47

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Characterization of the YbBa2Cu3O7-y and YBa2Cu3O7-y thin superconducting films prepared by chemical