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J-GLOBAL ID：200903031686527741

ビスマス・アンチモン・テルル化合物熱電半導体の製造方法

Inventor： 渡辺 滋
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996223672
Publication number (International publication number)：1998070317
Application date： Aug. 26, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 微小かつ室温での発電効率の良い熱電発電素子を製造するために、P型半導体としては室温で出力電圧の高いBiSbTe化合物を目的物質として、微小化に有利なメッキ法を用いたその製造方法を提供する。【解決手段】 電気化学的に反応するBi(ビスマス)とSb(アンチモン)とTe(テルル)を含む水溶液を用い、溶解しているBiとSbとTeのモル比をBixSbyTezで表したとき、z=1.5に対して0.4≦x≦0.6かつ0.5≦yであるときに、不活性ガス雰囲気中でメッキ法を用いて基板電極上にBiとSbとTeの合金を析出させ、さらに合金を水素ガス雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中において熱処理をする。

Claim (excerpt)：

電気化学的に反応するビスマス(Bi)とアンチモン(Sb)とテルル(Te)を含む溶液を用い、不活性ガス雰囲気中でメッキ法を用いて基板電極上にBiとSbとTeの合金を析出させ、さらに合金を水素ガス雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中において熱処理をすることを特徴とするビスマス・アンチモン・テルル化合物熱電半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 35/34 ,  C25D 3/56 ,  H01L 35/16

FI (3)：

H01L 35/34 ,  C25D 3/56 Z ,  H01L 35/16