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J-GLOBAL ID：200903031694072346

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 伸良 ,  中野 正 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068842
Publication number (International publication number)：1994069197
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜を有機ケイ素化合物を原料ガスとして用いる化学気相成長法によって形成する際に、ステップカバレージおよび平坦性が良好であるとともに膜質も良好な絶縁膜を形成する。【構成】 半導体基板11の表面に下地絶縁膜12およびアルミ配線13を形成した後、半導体基板を反応チャンバへ入れ、原料ガスであるTEOSガスおよび反応ガスであるオゾンガスに、下地依存性を軽減する有機化合物ガスを混合して化学気相成長を行ってオゾン-TEOS CVD NSG膜15を形成する。原料ガスにエタノール、メタノールなどの有機化合物ガスを混合することによって、ステップカバレージおよび平坦性が改善されるとともにボイドの発生を抑止できる。また、水分や炭化水素の混入がなく、耐吸湿性も改善され、信頼性の高い半導体装置を形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体装置の絶縁膜を有機ケイ素化合物を原料ガスとする化学気相成長によって形成するに当たり、有機ケイ素化合物を含む原料ガスに、有機化合物ガスを混合することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/90