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J-GLOBAL ID：200903031700848645

エピタキシャルウェハおよびその製造方法

Inventor： 三浦 祥紀 ,  松原 秀樹 ,  ▲高▼岸 成典 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068048
Publication number (International publication number)：1996259385
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 たとえば三原色発光素子等に使用可能な高性能のエピタキシャルウェハ、およびそれを工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 AlGaAsおよびGaAsPからなる群から選ばれる化合物半導体基板1と、基板1上に形成された厚さが10nm〜80nmのGaNからなるバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたGaNを含むエピタキシャル層3と、バッファ層2とエピタキシャル層3との界面に位置する不整合面9とを備える。バッファ層2は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により、第1の温度で形成され、エピタキシャル層3は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により、第1の温度より高い第2の温度で形成される。

Claim (excerpt)：

AlGaAsおよびGaAsPからなる群から選ばれる化合物半導体基板と、前記基板上に形成された、厚さが10nm〜80nmのGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、GaNを含むエピタキシャル層と、前記バッファ層と前記エピタキシャル層との界面に位置する不整合面とを備える、エピタキシャルウェハ。

IPC (6)：

C30B 25/00 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (7)：

C30B 25/00 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 B