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J-GLOBAL ID：200903031729902371

磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： 鎌田 芳幸 ,  内藤 勝之 ,  稗田 泰之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001399848
Publication number (International publication number)：2002359138
Application date： Dec. 28, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 強磁性体のパターニングを、簡易化された製造方法で提供する。【解決手段】 基板上にFe,Co,Niのいずれかの元素を含む強磁性体層を形成し、強磁性体層表面を選択的にマスクし、露出部をハロゲンを含む反応ガスに曝し、化学反応により該露出部およびその下層を、化学的に磁性を変質させ、非強磁性体領域とする。

Claim (excerpt)：

Fe、Co及びNiから選ばれる少なくとも一種の元素を含む強磁性体層を形成する工程と、前記強磁性体層表面を選択的にマスクする工程と、前記強磁性体層表面の露出部をハロゲンを含む活性な反応ガス若しく反応液に曝し、化学反応により前記露出部およびその下層を、前記反応ガス若しくは前記反応液中の成分との化合物に変質させ、非強磁性化する反応工程とを有することを特徴とする磁性体のパターニング方法。

IPC (8)：

H01F 41/34 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/82 ,  G11B 5/84 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (8)：

H01F 41/34 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/82 ,  G11B 5/84 Z ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (20)：

5D006BB02 ,  5D006BB05 ,  5D006BB07 ,  5D006EA04 ,  5D006FA09 ,  5D112AA05 ,  5D112BB02 ,  5D112BB05 ,  5D112BB10 ,  5D112GA02 ,  5D112GA25 ,  5D112GA26 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA20 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁性体薄膜の加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-215412   Applicant：株式会社東芝
• 磁気記録媒体とその製造方法及び磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-325320   Applicant：富士通株式会社
• 不完全オ-バラップ磁気RAMセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-026258   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション