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J-GLOBAL ID：200903031733703472
イオン注入装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993002694
Publication number (International publication number)：1994208842
Application date： Jan. 11, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：
【要約】【構成】 イオン注入装置は、所定量未満のビーム量のイオンビーム1から検出されたビーム電流にノイズが重畳することによって制御性が低下する注入コントローラ11等の制御系を有している。この制御系は、所定量以上のビーム量のイオンビーム1を間欠的に生成し、所定期間における平均ビーム量を用いて注入量を制御するようになっている。【効果】 少量のイオン注入を行う際に、ビーム電流にノイズが重畳した場合でも、ビーム量が所定量以上に設定されているため、ノイズによって制御系の制御性が低下することがない。よって、広い範囲で注入量を高精度に制御することができる。
Claim (excerpt)：
所定量未満のビーム量のイオンビームから検出されたビーム電流にノイズが重畳することによって制御性が低下する制御系を有し、この制御系によりイオン照射対象物への注入量を制御するイオン注入装置において、上記制御系は、所定量以上のビーム量のイオンビームを間欠的に生成し、所定期間における平均ビーム量を用いて注入量を制御するようになっていることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (4)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, C23C 14/54
, H01L 21/265
