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J-GLOBAL ID：200903031740888623

プラズマエッチング装置

Inventor： 中村 敏幸 ,  本多 茂樹 ,  小田島 成也 ,  黒川 哲治
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994291350
Publication number (International publication number)：1996148471
Application date： Nov. 25, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【構成】 高周波発振器32を備え、反応容器20内に試料台兼用の下部電極23とガス導入用のプラズマガス導入路26を有する可動式上部電極12とが対向して配設され、上部電極12にクランプ板13を備えた樹脂製シールド14が周設されたプラズマエッチング装置において、プラズマが照射される部材の少なくとも表面がポリイミド樹脂により形成されているプラズマエッチング装置。【効果】 使用されているポリイミド樹脂のトータルの金属含有量は非常に小さいので、試料の金属等による汚染を防止することができ、樹脂内に酸素を含有するため、付着した炭素含有有機物が酸化してガス化し、パーティクルの発生を防止することができる。また、ポリイミド樹脂はFを含まないため、電極等がエッチングされにくく、プラズマガスのエッチング選択比を変化させない。さらに、ポリイミド樹脂は耐久性に優れ、装置の長寿命化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

高周波発振器を備え、反応容器内に試料台兼用の下部電極と、ガス導入用の貫通孔を有する可動式の上部電極とが対向して配設され、該上部電極に試料固定用のクランプ板を備えたシールド部材が周設されたプラズマエッチング装置において、プラズマが照射される部材の少なくとも表面がポリイミド樹脂により形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-089563   Applicant：住友金属工業株式会社
• 特開平2-073981
  
• 特開平1-283931