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J-GLOBAL ID:200903031741303670

透明導電膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 久保田 耕平 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992218685
Publication number (International publication number):1994041723
Application date: Jul. 27, 1992
Publication date: Feb. 15, 1994
Summary:
【要約】【目的】 低い抵抗率を有する透明導電薄膜を提供する。【構成】 Bi、Ti、Sn、In、Cd、Zn、Ni、Te、W、Mo、ZrおよびIrから選ばれる1種または2種以上の金属の酸化物を少なくとも含む、単層もしくは多層の膜であるところの透明導電膜において、さらに窒素原子が0.1〜60原子%含有されている。
Claim (excerpt):
Bi、Ti、Sn、In、Cd、Zn、Ni、Te、W、Mo、ZrおよびIrから選ばれる1種または2種以上の金属の酸化物を少なくとも含む、単層もしくは多層の膜であるところの透明導電膜において、さらに窒素原子が0.1〜60原子%含有されていることを特徴とする透明導電膜。
IPC (4):
C23C 14/06 ,  C23C 16/30 ,  H01B 5/14 ,  H01L 31/04

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