Pat
J-GLOBAL ID：200903031752900874
半導体材料の切断・加工方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池条 重信 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999161014
Publication number (International publication number)：2000343525
Application date： Jun. 08, 1999
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 シリコンインゴット等の半導体材料を切断、あるいは溝入れ加工を施すワイヤーソーを用いた切断・加工方法において、切断後の残留加工歪が少なく、厚み精度にすぐれた高品質、高精度の加工物が安定的に得られる方法。【解決手段】 芯線の外周に砥粒を固着したワイヤーを用いた切断・加工に際して、スラリーに、鉱物油などの油性基剤と遊離砥粒との混合物、あるいはPEG(ポリエチレングリコール材)などの水溶性ベース剤と遊離砥粒との混合物を用いて切断加工を行うことにより、切削性向上と残留加工歪低減及び加工応力の抑制、切削熱の抑制効果が高く、また、KOHやNaOH等アルカリ溶液をかけながら切断することにより、切断により発生した加工応力(残留歪み)を除去しながら切断を進め、低歪みのウェーハを切断することが可能。
Claim (excerpt)：
ワイヤーソーによる半導体材料の切断・加工方法において、芯線の外周に砥粒を固着したワイヤーを用い、該ワイヤーにて該材料の切断面へスラリーを持ち込み切断・加工する半導体材料の切断・加工方法。
IPC (2)：
FI (2)：
B28D 5/04 C
, B24B 27/06 H
3C058AA05
, 3C058AA07
, 3C058AC04
, 3C058CA02
, 3C058CA05
, 3C058CB02
, 3C058DA02
, 3C058DA03
, 3C058DA17
, 3C069AA01
, 3C069BA06
, 3C069BB04
, 3C069CA04
, 3C069DA06
, 3C069EA02
, 3C069EA05
