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J-GLOBAL ID：200903031761555934

密着型イメージセンサ

Inventor： 工藤 泰樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992150183
Publication number (International publication number)：1994151800
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】配線のパターン変換による特性の不均一性を無くし、かつ信頼性の高い密着型イメージセンサを得る。【構成】光電変換素子及び薄膜トランジスタの電極を、膜厚0.3μm以下のクロムで形成し、かつ配線マトリクスの少なくとも一部を膜厚1μm以上のAlにより形成することにより、配線の抵抗値を低くおさえながらパターンの寸法精度を向上させ、ひいては密着型イメージセンサの特性を向上させる。

Claim (excerpt)：

一次元に配列された複数個の光電変換素子と、前記複数個の光電変換素子に各々接続された薄膜トランジスタと、配線マトリクスを有する密着型イメージセンサにおいて、少なくとも前記光電変換素子及び前記薄膜トランジスタの電極がクロムにより形成されており、なおかつ前記配線マトリクスの少なくとも一部がアルミニウムにより形成されていることを特徴とする密着型イメージセンサ。

IPC (4)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/784 ,  H04N 1/028

FI (2)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 311 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-149179
  
• 特開平3-209768
  
• 特開平4-099380