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J-GLOBAL ID：200903031766996998

薄膜製造方法

Inventor： 飯島 賢二 ,  林 重徳 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991236064
Publication number (International publication number)：1993070935
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光・イオン複合アシスト法を用いた良質の窒化ホウ素薄膜または窒化ガリウム薄膜の低温作製を可能とする。【構成】 主たる構成元素の堆積機構とは別に、光を含む電磁波およびイオンの両者を基板上に照射して窒化ホウ素薄膜または窒化ガリウム薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

主たる構成元素の堆積機構のエネルギーに加え、光を含む電磁波およびイオンの両者を基板上に照射して窒化ホウ素薄膜または窒化ガリウム薄膜を形成することを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/32