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J-GLOBAL ID：200903031769319946
ショットキバリアダイオードの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997252003
Publication number (International publication number)：1999097717
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 逆方向電流IRを増大させることなく、順方向電圧VFを低くすることができるショットキバリアダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 N型シリコンウエハ表面の中央部にリンを蒸着する工程と、シリコンウエハ表面にエピタキシャル層を成長させつつ、リンをエピタキシャル層の表面に達しない程度までオートドープすることにより、エピタキシャル層内にエピタキシャル層の不純物濃度よりも高濃度のN型埋め込み層を形成する工程と、エピタキシャル層にP型ガードリング層を形成する工程と、エピタキシャル層に接触するようにショットキメタルを形成する工程を含む。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハ表面の所望領域に前記半導体ウエハと同じ導電型を有する不純物を蒸着する工程と、前記半導体ウエハ表面にエピタキシャル層を成長させつつ、前記不純物を前記エピタキシャル層の表面に達しない程度までオートドープすることにより、前記エピタキシャル層内に前記エピタキシャル層と同じ導電型を有し、かつ前記エピタキシャル層の不純物濃度よりも高濃度の埋め込み層を形成する工程を含むことを特徴とするショットキバリアダイオードの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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