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J-GLOBAL ID：200903031780184718

非晶質半導体の形成方法

Inventor： 佐山 勝信 ,  白玖 久雄 ,  中嶋 行雄
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087722
Publication number (International publication number)：1993259096
Application date： Mar. 10, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、光導電率が高く、しかも、光劣化が少ない非晶質半導体を形成できる非晶質半導体の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 減圧下における放電分解による気相反応を用いて、所定の基板3上に水素化非晶質半導体薄膜8を形成する非晶質半導体の形成方法であって、前記基板3の温度を400°C以上550°C以下とし、毎秒3Å以上の堆積速度で水素化非晶質半導体薄膜8を基板3上に堆積する堆積工程と、放電分解を停止した上で同じ基板温度に放置して水素化非晶質半導体薄膜8から一部の水素を脱離させる脱水素工程とを交互に繰り返す。

Claim (excerpt)：

減圧下における放電分解による気相反応を用いて、所定の基板上に水素化非晶質半導体薄膜を形成する非晶質半導体の形成方法であって、前記基板の温度を400°C以上550°C以下とし、毎秒3Å以上の堆積速度で水素化非晶質半導体薄膜を基板上に堆積する堆積工程と、放電分解を停止した上で同じ基板温度に放置して一部の水素を脱離させる脱水素工程とを交互に繰り返すことを特徴とする非晶質半導体形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-342122
  
• 特開昭63-131512
  
• 特開平3-217014