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J-GLOBAL ID：200903031782995357
薄膜トランジスター
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235096
Publication number (International publication number)：1993072555
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】高精細アクティブマトリックス液晶パネルの保持特性・書き込み特性のすぐれた、すなわちIOFF が小さく、IONが大きいLDD構造の薄膜トランジスターを提供する。【構成】LDD構造のパラメータとして、LDD領域の長さ(Loffset)とLDD領域の不純物濃度(比抵抗)と、ゲートチャンネル長(Leff)と限定した。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に多結晶シリコン薄膜からなる能動領域と、低抵抗不純物領域からなるソース・ドレイン領域と、前記能動領域とソース・ドレイン領域を連結する高抵抗不純物領域からなる薄膜トランジスターにおいて、前記高抵抗不純物領域のチャンネル方向の長さを0.1〜1μmとしたことを特徴とする薄膜トランジスター。
IPC (3)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
