Pat

J-GLOBAL ID：200903031783171277

露光用マスク

Inventor： 伊藤 信一 ,  川野 健二 ,  田中 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997128666
Publication number (International publication number)：1998319569
Application date： May. 19, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 遮光膜を通過する光に起因する焦点深度の低下等を抑制することができ、レベンソン型位相シフト法の持つ本来の性能を発揮させる。【解決手段】 石英からなる透光性基板601と、この透光性基板601上に形成され一部に開口パターン605を有するCrOx からなる遮光膜602と、この遮光膜602の隣接する開口パターン605で基板601をそれぞれ堀込み、隣接する開口パターン605の一方を透過する光と他方を透過する光に対して180度の位相差を与えるための位相シフト領域とを備えたレベンソン型の位相シフトマスクにおいて、遮光膜602は、遮光膜602を通過する光が遮光膜602と同じ厚さの大気を通過する光に対して相対的に180度の位相差を有するように形成されている。

Claim (excerpt)：

透光性基板と、この透光性基板上に形成され一部に開口パターンを有する遮光膜と、この遮光膜の開口パターンを透過する光に対して隣接する開口パターンで概略(2m-1)π(mは正の整数)の位相差を与えるための位相シフト手段とを備えた露光用マスクにおいて、前記遮光膜は、該遮光膜を通過する光が該遮光膜と同じ厚さの光伝達媒体を通過する光に対して相対的に概略nπ(nは整数)の位相差を有するように形成されてなることを特徴とする露光用マスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-162039
  
• 特開昭53-005572
  
• フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-077217   Applicant：日本電気株式会社