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J-GLOBAL ID：200903031784884218

窒化ガリウム系化合物半導体受光素子

Inventor： 中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994078294
Publication number (International publication number)：1995288334
Application date： Apr. 18, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 近紫外から赤色領域まで幅広い領域に感度を有し、また信頼性に優れた受光素子を提供する近紫外から赤色領域まで幅広い領域に感度を有し、また信頼性に優れた受光素子を提供する。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層4とp型窒化ガリウム系化合物半導体層6との間に、受光層5としてIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0<X<1)が挟まれたダブルへテロ構造を有する。

Claim (excerpt)：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、受光層としてIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0<X<1)が挟まれたダブルへテロ構造を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体受光素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 E