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J-GLOBAL ID：200903031788135872

圧電素子、インクジェットヘッドおよびそれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置

Inventor： 藤井 映志 ,  鳥井 秀雄 ,  友澤 淳 ,  高山 良一 ,  久保 晶子
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001384310
Publication number (International publication number)：2003188431
Application date： Dec. 18, 2001
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 結晶性および(001)結晶配向性の良好なPZT圧電薄膜を作製することにより、圧電素子の特性バラツキ、耐電圧、信頼性を向上させる。【解決手段】 基板11上に密着層12を設け、その密着層12上に(100)配向NaCl型結晶構造の酸化物薄膜からなる第1の配向制御層13を設け、その第1の配向制御層13上に(100)配向Pt薄膜からなる第1の電極層14を設け、その第1の電極層上にZrを含まないチタン酸鉛を主成分とした第2の配向制御層15を設け、その第2の配向制御層15上にPZT薄膜からなる圧電体層16を設け、その圧電体層上に第2の電極層17を設けた構成の圧電素子。

Claim (excerpt)：

基板上に密着層を設け、その密着層上に第1の配向制御層を設け、その第1の配向制御層上に第1の電極層を設け、その第1の電極層上に第2の配向制御層を設け、その第2の配向制御層上に圧電体層を設け、その圧電体層上に第2の電極層を設けた圧電素子。

IPC (5)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22

FI (4)：

H01L 41/08 C ,  H01L 41/08 D ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/22 Z

F-Term (9)：

2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14