マイクロ機電技術を応用して製作された高周波通信用集積受動素子とその設計方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口朔生 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001350694
Publication number (International publication number)：2002270462
Application date： Nov. 15, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】マイクロ機電技術を応用して高周波通信用集積受動素子とセラミックの低温共焼で得た比較的精度の低い受動素子とを併用して、コストが低く、信頼度が高いハイブリッド通信素子の製作工程と材料を提供する。【解決手段】本発明では上述のハイブリッド通信素子の設計方法、材料と製作工程を提供し、その可用周波数の範囲は0.9GHz〜100GHzの広さに達し、低回路面積と低コストの要求に符合し、受動素子の基本構造は2層基板で、下層はセラミック、上層は廉価なガラス、或いは透明プラスチック、また、1層のセラミック基板を最下層に加えてもよく、全体の工程の材料と温度はみんな、CMOSの製作工程と相容し、RF-CMOSの後続製作工程となり得る外、素子の設計と製作に際し、素子間の隔離の方法を提供して、素子間のカップリングや干渉の現象を大幅に抑制し、集積化とミニ化の効果を向上した。

Claim (excerpt)：

一貫性のある連続工程において、マイクロ機電技術と、セラミック素子の低温共焼(co-burning)を併合した高周波通信用集積受動素子を合成する工程であって、前記受動素子の基本構造は1つの多重基板であり、下層基板はセラミック、上層基板は高分子材料からなり、全工程に用いる材料と温度とは共にCMOSの製作工程と相容でき、故にCMOSの後続製作工程となれることを特徴とする、マイクロ機電技術を応用して製作された高周波通信用集積受動素子。

IPC (7)：

H01G 4/33 , B81B 3/00 , B81C 1/00 , H01C 7/00 , H01F 17/00 , H01Q 1/38 , H05K 1/03 630

FI (7)：

B81B 3/00 , B81C 1/00 , H01C 7/00 C , H01F 17/00 A , H01Q 1/38 , H05K 1/03 630 A , H01G 4/06 102

F-Term (18)：

5E033AA01 , 5E033BB06 , 5E070AA05 , 5E070AB01 , 5E070AB03 , 5E070CB03 , 5E070CB12 , 5E070DB08 , 5E082AB03 , 5E082EE05 , 5E082EE37 , 5E082FF05 , 5J046AA01 , 5J046AA02 , 5J046AA06 , 5J046AA19 , 5J046AB13 , 5J046PA07

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