Pat

J-GLOBAL ID：200903031822247715

欠陥検査装置

Inventor： 中筋 護
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 立石 篤司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996247161
Publication number (International publication number)：1998073424
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 試料に形成されたパターンの欠陥を高速かつ高精度に検査できるようにする。【解決手段】 電子銃12から放出される電子線をコンデンサレンズ14で光軸AXに平行なビームに変換し、マスク16に照射することにより孔16Aを通過して複数のマルチビームMBが形成される。マルチビームMBは、偏向器18で偏向されつつ、電磁レンズ20,22で1/10に縮小されて試料24上に照射される。試料台26が振動しても、位置検出部50で検出した試料台26の位置に応じて1次電子偏向器制御部52で偏向器18を制御することにより、位置ずれした試料24の検査位置に正しくマルチビームMBを照射できる。試料24上の照射点28から発生する2次電子SBは、マルチレンズ34、マルチ開口板40を経て検出器42A,42B,42Cで検出され、試料32上のパターンの欠陥が検査される。

Claim (excerpt)：

パターンが形成された試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線光学系と、前記試料からの荷電粒子線を検出する荷電粒子線検出手段とを有し、前記パターンの欠陥を検査する欠陥検査装置であって、前記荷電粒子線を複数形成する荷電粒子線形成手段と;前記複数の荷電粒子線を走査させる荷電粒子線走査手段と;前記試料を載置する試料台と;前記試料台の位置を計測する位置計測手段と;前記位置計測手段の計測結果に基づいて、前記荷電粒子線走査手段を制御する第1の制御手段とを備えていることを特徴とする欠陥検査装置。

IPC (6)：

G01B 15/00 ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/256 ,  H01L 21/66 ,  G01N 21/88

FI (6)：

G01B 15/00 B ,  G01N 23/225 ,  H01J 37/20 D ,  H01J 37/256 ,  H01L 21/66 J ,  G01N 21/88 E