シリコン単結晶ウェーハの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997318704
Publication number (International publication number)：1999157995
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】チョクラルスキー法によってデバイス特性に優れたシリコン単結晶ウェーハを製造する。【解決手段】(1)チョクラルスキー法によって酸素濃度が13×lO17atoms/cm3未満であるシリコン単結晶を製造する方法であって、結晶面内にリング状に現れる酸化誘起積層欠陥の潜在領域の半径が結晶半径の70%〜0%の範囲になるようにして、かつ、引き上げ速度をV(mm/min)とし、引き上げ軸方向の結晶内温度勾配をG(°C/mm)とするとき、V/G値を結晶の最外周部を除く径方向位置において所定の限界値以上で制御することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。(2)酸素濃度が13×lO17atoms/cm3以上であるシリコン単結晶を製造する場合には、さらに引き上げ速度を1.0mm/min以上とすることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。上記シリコン単結晶ウェーハの製造方法において、引き上げ軸方向の結晶内温度勾配Gを伝熱計算によって算出し、V/Gの限界値を0.20mm2/°C・minとして、V/G値をそれ以上になるように制御するのが望ましい。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によって酸素濃度が13×lO17atoms/cm3未満であるシリコン単結晶を製造する方法であって、結晶面内にリング状に現れる酸化誘起積層欠陥の潜在領域の半径が結晶半径の70%〜0%の範囲になるようにして、かつ、引き上げ速度をV(mm/min)とし、シリコン融点から1300°Cまでの範囲内の特定温度域における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配をG(°C/mm)とするとき、V/G値(mm2/°C・min)を結晶の最外周部を除く径方向位置において所定の限界値以上で制御することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/00 , H01L 21/208

FI (3)：

C30B 29/06 502 H , C30B 15/00 Z , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158458 Applicant：住友シチックス株式会社
シリコン単結晶の引上げ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-329839 Applicant：ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
ウエーハ周辺部に結晶欠陥がないシリコン単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025928 Applicant：信越半導体株式会社

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