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J-GLOBAL ID：200903031844797212

半導体装置

Inventor： 山本 知生 ,  門田 好晃
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995351618
Publication number (International publication number)：1997181390
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高品質の活性層を得、これによって高性能の半導体素子を歩留り良く製造すること【解決手段】 n型の導電型を有する第1の半導体層と、伝導帯と価電子帯の間の最も低い遷移エネルギーが該第1の半導体層に比して小さい半導体単層又は量子井戸から成る発光層を含む活性層と、伝導帯と価電子帯の間の最も低い遷移エネルギーが該発光層より大きくp型の導電型を有する第2の半導体層から成る積層構造を備え、該積層構造からなるメサ構造が半絶縁性半導体によって埋め込まれている半導体装置において、該第2の半導体層と該活性層の間に導電型がn型でn型不純物濃度が該第2の半導体層のp型不純物濃度より高い半導体単層又は半導体積層を有する半導体装置。

Claim (excerpt)：

n型の導電型を有する第1の半導体層と、伝導帯と価電子帯の間の最も低い遷移エネルギーが該第1の半導体層に比して小さい半導体単層又は量子井戸から成る発光層を含む活性層と、伝導帯と価電子帯の間の最も低い遷移エネルギーが該発光層より大きくp型の導電型を有する第2の半導体層から成る積層構造を備え、該積層構造からなるメサ構造が半絶縁性半導体によって埋め込まれている半導体装置において、該第2の半導体層と該活性層の間に導電型がn型でn型不純物濃度が該第2の半導体層のp型不純物濃度より高い半導体単層又は半導体積層を有することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-199587
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-078057   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭64-077979
  
• 特開昭54-154984