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J-GLOBAL ID：200903031858949317

半導体装置の製造方法

Inventor： 松元 道一 ,  橋本 和彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992132177
Publication number (International publication number)：1993326385
Application date： May. 25, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 EB露光時におけるチャ-ジアップを防ぐ。【構成】 エッチングしようとする2の層間絶縁膜A上に薄い金属膜5を堆積した後、EB露光用レジスト6を塗布する。その後、EB露光を行う。マスクとなるレジスト6を介して、最初に金属膜5をエッチングする。続いて層間絶縁膜Aをエッチングする。【効果】 薄い金属膜5が存在することにより、EB露光時のチャ-ジアップを防ぐことが可能となる。そして、露光時のチャ-ジアップにより発生する異常放電やパタ-ンずれがなくなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に薄い金属膜を形成する工程と、前記金属膜上にレジストを塗布する工程と、電子ビ-ム露光法を用いて前記レジストをパタ-ンニングする工程と、パタ-ンニングされたレジストをマスクとして金属膜をエッチングする工程と、連続してその下層の絶縁膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3)：

H01L 21/30 341 P ,  H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 361 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-054633
  
• 特開昭59-155149
  
• 特開平3-262148
  
• 特開昭62-174915