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J-GLOBAL ID：200903031859735027

半導体装置

Inventor： 宇野 昌明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991167319
Publication number (International publication number)：1993013436
Application date： Jul. 09, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 オーミック接続をとるためのコンタクトホールの構造に関し,コンタクトホールの底面に形成される自然酸化膜を少なくして,開口面積が小さくかつコンタクト抵抗の低いコンタクトホールを提供することを目的とする。【構成】 (100)基板1上に設けられたゲート2と,少なくとも一方の領域の表面に(111)斜面5が形成されたソース及びドレイン領域3,4と,少なくとも斜面5の一部をオーミック接続面6として基板1上に設けられたコンタクトホール7とを有するMOS電界効果トランジスタを含み,及び(111)面と斜交する面方位の基板1上に形成された半導体装置において,基板1の表面に形成された(111)斜面5をオーミック接続面とすることを特徴として構成する。

Claim (excerpt)：

面方位(100)の半導体基板(1)の表面上に設けられたゲート(2)と,ソース領域(3)及びドレイン領域(4)のうち少なくとも一方の領域の表面に面方位(111)の斜面(5)が設けられたソース及びドレインと,少なくとも該斜面(5)の一部をオーミック接続面(6)とする該基板(1)上に設けられたコンタクトホール(7)とを有するMOS電界効果トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/44

FI (2)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 311 P