半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994285123
Publication number (International publication number)：1995193254
Application date： Nov. 18, 1994
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】トランジスタの製造コストを低減し特性を上げる。【構成】トランジスタのチャネル53を一旦アモルファスまたは多結晶構造に形成した後、指向性の高いNe原子流を誘電体膜に照射し、ブラベーの法則にて各入射方向に垂直に最稠密面が配向するように単結晶化する。【効果】 2枚のウェハを張り合わせたりせずに上下層を完全誘電体分離する。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲート型半導体装置であって、半導体基板と、該半導体基板上に選択的に形成されたソースおよびドレインと、該ソースとドレインとの間に形成されたチャネルと、該チャネルの上面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上面に形成されたゲートとを備え、前記チャネルは単結晶膜で構成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 29/72 , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

強誘電体層を有する半導体素子及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320884 Applicant：ローム株式会社
特開平2-184594
特開昭63-286579

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