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J-GLOBAL ID：200903031868831675

半導体チップ及び半導体装置の製造方法

Inventor： 中津 和彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993102057
Publication number (International publication number)：1994314715
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップを搭載した半導体装置のパッケージ内に樹脂を注入する半導体装置の製造方法に関し、半導体チップをパッケージに搭載し、ポリイミドを半導体チップの表面とパッケージの表面との間の空間に注入する方法の提供を目的とする。【構成】 バンプ3aを備えた半導体チップ3の、素子パターン領域3b或いは配線領域3c内に設けた素子パターン或いは配線を設けない空白領域3d内に注入孔3eを具備する半導体チップ3を搭載した半導体装置のパッケージ1と、この半導体チップ3の表面との間の空間に樹脂5を注入するため、樹脂5とこのパッケージ1の配線パターン1aとを離隔する堰状の突起物2をパッケージ1の表面に載置する工程と、半導体チップ3をパッケージ1に、バンプ3aを用いるボンディングにより搭載する工程と、パッケージ1の表面と半導体チップ3の表面と突起物2との間の空間に注入孔3eを用いて樹脂5を注入する工程とを含むように構成する。

Claim (excerpt)：

バンプ(3a)を備えた半導体チップ(3) の、素子パターン領域(3b)或いは配線領域(3c)内に設けた素子パターン或いは配線を設けない空白領域(3d)内に注入孔(3e)を具備することを特徴とする半導体チップ。

IPC (4)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31