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J-GLOBAL ID：200903031869879507

薄膜インダクタ

Inventor： 宇ノ木保元 ,  小川浩子
Applicant, Patent owner： 多摩電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995309754
Publication number (International publication number)：1997129471
Application date： Nov. 02, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【目的】 絶縁性基板に金属薄膜の膜厚の厚い渦巻、つづら折れ形、スパイラル路のインダクタンス素子に関するもので、具体的には数百MHz〜数拾GHzの高周波信号を処理するために用いられる準ミリ波、並びにマイクロ波集積回路に用いられるインダクタ素子に関する。【構成】 絶縁性基板に、リソグラフィ技術等を利用して、予め渦巻導体線路と同一寸法形状に0.1μm〜10.0μmの凹面を形成した絶縁性基板表面に、金属を全面着膜堆積し、該絶縁基板上の凹状渦巻導体をリソグラフィ技術に因って、渦巻状導体金属薄膜のみを残し、それ以外の箇所の金属薄膜は全て除去して作製することに因り、絶縁基板に予め形成された、凹面深さ分の渦巻導体の膜厚分だけ膜厚を容易に厚くする事が出来る為、導体抵抗の抵抗値を低く製作出来ることを特徴とする薄膜インダクタ。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板に、リソグラフィ技術等を利用して、予め渦巻導体線路と同一寸法形状に0.1μm〜10.0μmの凹面を形成した絶縁性基板表面に、金属を全面着膜堆積し、該絶縁基板上の凹状渦巻導体をリソグラフィ技術によって、渦巻状導体金属薄膜のみを残し、それ以外の箇所の金属皮膜は、全て除去することに因り、絶縁基板に予め形成された凹面深さ分の渦巻導体の膜厚分だけ、膜厚を容易に厚くし、導体抵抗の抵抗値を小さく製作し、インダクタの損失を小さくすることを特徴とする薄膜インダクタ。

IPC (2)：

H01F 41/04 ,  H01F 17/00

FI (3)：

H01F 41/04 C ,  H01F 17/00 B ,  H01F 17/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 平面インダクターとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-165557   Applicant：松下電器産業株式会社
• 導電性高分子組成物および電気装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-100289   Applicant：株式会社フジクラ