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J-GLOBAL ID：200903031869889561
炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000343664
Publication number (International publication number)：2002154899
Application date： Nov. 10, 2000
Publication date： May. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 混合ガスによる詰まりを抑制した炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 第1の部材31と第2の筒状部材36とを有して構成されるるつぼ30が下部容器2内に配置されている。この第1の部材31の内側に台座33が配置され、台座33には種結晶34が取り付けられている。導入配管50とるつぼ30との間には第2の断熱部材52が設けられ、導入配管50の途中には第1の断熱部材51が設けられ、導入配管50にはるつぼ30に近づくにつれて高温になる温度勾配が設けられている。そして、導入配管50の下方から混合ガスをるつぼ30内に導入して、種結晶34上にSiC単結晶を形成する。
Claim (excerpt)：
るつぼ(30)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(34)を配置し、前記るつぼ内にSiを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記混合ガスを前記るつぼ内に導入するために用いる導入配管(50)に対して、前記るつぼに近づく程高温になる温度勾配を設けることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/36 A
, C30B 25/16
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DB04
, 4G077DB07
, 4G077EA02
, 4G077EG22
, 4G077EH10
, 4G077HA12
, 4G077TJ01
, 4G077TJ03
