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J-GLOBAL ID：200903031871165988

半導体集積回路装置

Inventor： 佐藤 広之
Applicant, Patent owner： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163715
Publication number (International publication number)：1995022420
Application date： Jul. 02, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、半導体集積回路装置のパッド配置を容易にすること、チップ面積を減少すること、接地電位配線や電源配線等の抵抗を低減することにある。【構成】入力回路の素子領域Q1〜Q4、出力回路の素子領域R1〜R4、回路機能領域K1,K2等の上に、絶縁膜を介して、第2のアルミニウム層E1を形成し、その上にさらに絶縁膜を介してボンディング・パッドP1〜P10を配置する。又、スルーホールT11〜T14と第1のアルミニウム配線層A11〜A12とにより、接地電位の第3のアルミニウム配線層と第2のアルミニウム層E1を接続して、接地電位配線の抵抗の低減をはかる。

Claim (excerpt)：

素子が形成された半導体チップ上に第1の絶縁膜を介して第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に第2の絶縁膜を介して、ボンディング・パッド及び配線を、第2の導電層にて形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 B ,  H01L 27/04 D