Pat

J-GLOBAL ID：200903031873925688

ゲッタを備える電子デバイス及びその動作方法

Inventor： ジョン・リーベスキンド
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002113587
Publication number (International publication number)：2002352700
Application date： Apr. 16, 2002
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】能動デバイス及び高分子材料を損傷することなく、パッケージ内の真空を維持することができる非蒸発性ゲッタ材料が基板上に配置された電子デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイス200は、基板140と、基板140上に形成されているトランジスタ120と、トランジスタ120の少なくとも一部分を覆う誘電体層150と、誘電体層150の一部分の上に配置されている非蒸発性ゲッタ材料(NEG材料)の層181と、基板140の一部分の上に配置されている真空デバイス130とからなり、NEG材料181が電力パルスによって活性化される。真空デバイス130とトランジスタ120の両方に利用される基板140にNEG材料181を直接付着することで、パッケージを縮小し、別個のゲッタカートリッジを排除する。さらに、トランジスタ120または真空デバイス130に損傷を与えずに、NEG材料181を活性化温度まで直接加熱できる。

Claim (excerpt)：

真空下において密封された電子デバイス(100、101、105、112、200、300、400)であって、基板(140、540)と、前記基板(140、540)上に形成されているトランジスタ(120、420)と、前記トランジスタ(120、420)の少なくとも一部分を覆う誘電体層(150)と、前記誘電体層(150)の一部分の上に配置されている非蒸発性ゲッタ材料の層(181)と、前記基板(140、540)の一部分の上に配置されている真空デバイス(130)とからなり、前記非蒸発性ゲッタ材料(181)が、電力パルスによって活性化されることを特徴とする電子デバイス。

IPC (3)：

H01J 7/18 ,  H01J 29/94 ,  H01L 23/26

FI (3)：

H01J 7/18 ,  H01J 29/94 ,  H01L 23/26

F-Term (4)：

5C032AA01 ,  5C032JJ08 ,  5C032JJ17 ,  5C235JJ10