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J-GLOBAL ID：200903031878041613

パターン形成方法

Inventor： 勝山 亜希子 ,  岸村 眞治 ,  笹子 勝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001214693
Publication number (International publication number)：2002072487
Application date： Feb. 18, 2000
Publication date： Mar. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 露光光として1nm帯〜180nm帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基及びメルカプト基からなる群の中から選ばれた少なくとも1つの原子又は基を含むレジスト材料を半導体基板10の上に塗布してレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に、157nm帯の波長を持つF2 レーザ光13をマスク12を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン14を形成する。

Claim (excerpt)：

ハロゲン原子を含むベース樹脂を有する化学増幅型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の上に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、フルオロアルキル基又はメルカプト基を含む水溶性樹脂からなる水溶性樹脂膜を形成する工程と、前記レジスト膜及び水溶性樹脂膜に、Xe2レーザ光、F2 レーザ光、Kr2レーザ光、ArKrレーザ光又はAr2 レーザ光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 575

F-Term (17)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ00 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  5F046AA28 ,  5F046CA03