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J-GLOBAL ID：200903031884961066

ISFETセンサの静電放電保護

Inventor： バクスター,ロナルド・ディ ,  コナリー,ジェイムズ・ジィ ,  フォーゲル,ジョン・ディ ,  シルバーソーン,スペンサー・ダブリュ
Applicant, Patent owner： ハネウエル・インコーポレーテッド
Agent (1)： 山川 政樹 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995519596
Publication number (International publication number)：1997508207
Application date： Jan. 12, 1995
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】液体(299)中のイオンを選択的に測定するために使用するイオン感応電界効果トランジスタ(ISFET)ベースの装置(250)に静電放電(ESD)保護を与える方法、装置、およびチップ製作技法を開示する。本発明の一形態によると、従来の保護要素(201、202、206)で構成されたESD保護回路を、ISFET(250)が形成されている同一シリコン・チップ上に、被測定液休(299)と接触し、ISFET(250)と液体(299)との間に直流漏れ電流の経路を開かないインタフェース(203)とともに集積する。本発明の好ましい実施形態によれば、保護回路(201、202、206)と液体試料(299)との間のインタフェース(203)としてキャパシタ構造体を使用する。本発明の他の形態は、前記のインタフェース手段(203)(たとえばキャパシタ構造体)を使用するISFETセンサに本質的にESD保護を与える方法と、シリコン・ウエハ上に新規なインタフェースを製作する工程とを対象とする。

Claim (excerpt)：

液体中のイオンを選択的に測定する装置であって、 (a)シリコン基板上に形成されたイオン感応電界効果トランジスタ(ISFET)の形態の化学的に感知するイオン・センサを含む測定回路と、 (b)前記基板上に集積された静電放電(ESD)保護回路と、 (c)前記基板上に集積され、前記保護回路と前記液体との間にインタフェースを形成するインタフェース手段とを備え、前記インタフェース手段がISFETと前記液体との間に直流漏れ電流の経路を開くことなく前記液体との接点を行うことを特徴とする装置。

IPC (3)：

G01N 27/414 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4)：

G01N 27/30 301 X ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 T ,  G01N 27/30 301 Y