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J-GLOBAL ID：200903031892411733
半導体マイクロリレー
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996307753
Publication number (International publication number)：1998149756
Application date： Nov. 19, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】 耐圧が高く、ノイズの影響を受けにくい半導体マイクロリレーを提供することにある。【解決手段】 駆動素子10は、厚さ方向に弾性変位可能な可動部12の上面に、駆動用可動電極21と検出用可動電極22とを設けるとともに、ガラスプレート14の下面に、前記駆動用可動電極21および検出用可動電極22に所定間隔でそれぞれ対向する駆動用固定電極23および検出用固定電極24を配置する一方、前記駆動用可動電極21および駆動用固定電極23を入力端子42,41にそれぞれ接続したものである。そして、静電容量検出回路30は、前記検出用可動電極22および検出用固定電極24に接続してある。また、前記電界効果トランジスタFET31は、前記静電容量検出回路30をゲートに接続し、かつ、出力端子43,44に接続されている。
Claim (excerpt)：
厚さ方向に弾性変位可能な可動部の表裏面に対向する対向面のうち、少なくともいずれか一方に、駆動用固定電極を設ける一方、前記可動部の表裏面の少なくとも片面に検出用可動電極を設けるとともに、この検出用可動電極に所定間隔で対向する検出用固定電極を前記対向面に設け、前記可動部および駆動用固定電極を入力端子にそれぞれ接続した駆動素子と、前記検出用可動電極および検出用固定電極に接続した静電容量検出回路と、この静電容量検出回路をゲートに接続し、かつ、出力端子に接続した電界効果トランジスタFETと、からなることを特徴とする半導体マイクロリレー。
IPC (2)：
FI (2)：
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