電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩佐義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993130466
Publication number (International publication number)：1994342811
Application date： Jun. 01, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】耐圧を劣化させること無く、寄生抵抗を大幅な低減を可能にする。【構成】ゲート電極16直下が少なくとも第2の半導体層14、チャネルとなる第1の半導体層13からなる電界効果型トランジスタにおいて、ソース電極17及びドレイン電極18との間で、第2の半導体層14の長さがゲート長及び第1の半導体層13からなるチャネル長より長く、第2の半導体層14及び第1の半導体層13がソース電極17及びドレイン電極18側の端面において、低抵抗の半導体層15と電気的に接触するように形成する。

Claim (excerpt)：

ゲート電極直下が少なくとも第2の半導体層及びチャネルとなる第1の半導体層からなる電界効果型トランジスタにおいて、ソース電極及びドレイン電極との間で、前記第2の半導体層の長さがゲート長及び前記第1の半導体層からなるチャネル長より長く、前記第1の半導体層及び第2の半導体層がソース電極及びドレイン電極側の端面において、低抵抗の第3の半導体層と電気的に接触するように形成したことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 F , H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-157735
高電子移動度トランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-162572 Applicant：富士通株式会社
特開平2-143432

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