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J-GLOBAL ID：200903031896988024
半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993099421
Publication number (International publication number)：1994310801
Application date： Apr. 26, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 発振に必要な利得を各モードで変えることにより、導波路幅を広げた多モード光導波路を用いた半導体レーザにおいても、単一モード発振するようにして、高出力な単一モード半導体レーザを実現する。【構成】 横方向に屈折率を変化させた多モードの光導波路を持ち、かつ回折格子による光帰還を利用した半導体レーザにおいて、選択したモードの光強度が最大となる部分にのみ前記回折格子を設けることにより、前記選択したモードの光帰還量を他のモードより大きくし、前記選択したモードでのみ発振するようにしたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
横方向に屈折率を変化させた多モードの光導波路を持ち、かつ回折格子による光帰還を利用した半導体レーザにおいて、選択したモードの光強度が最大となる部分にのみ前記回折格子を設けることにより、前記選択したモードの光帰還量を他のモードより大きくし、前記選択したモードでのみ発振するようにしたことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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