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J-GLOBAL ID：200903031926588808

フッ化物薄膜形成方法及びスパッタリング方法

Inventor： 鈴木 康之 ,  寺西 康治
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004287818
Publication number (International publication number)：2006097118
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【目的】 露光装置の高NAに対応するために、低入射角度から高入射角度にわたって反射防止効果の高い反射防止膜に有用な低屈折率フッ化物薄膜を形成する【構成】 金属ターゲットを使用し、不活性ガスとフッ素を含むガス中で直流反応性スパッタリングを行い、ターゲットからの負イオンダメージとプラズマダメージを防止して低吸収の金属フッ化物薄膜を形成するスパッタリングにおいて、 不活性ガス分圧を高く保持してスパッタリングすることで金属フッ化物薄膜中に過剰に取り込ませ、薄膜の密度を任意に調整可能とする。また、不活性ガス分圧を基板近傍のみ高く維持可能なように基板に高速で照射する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

金属ターゲットを用い、不活性ガス及び少なくともフッ素を含むガスで反応性スパッタを行うことにより、金属フッ化物薄膜を形成する薄膜形成方法において、 スパッタ中の不活性ガス分圧を0.8Pa以上に保持してスパッタリングを行い、不活性ガス濃度が1%以上の金属フッ化物薄膜を形成することを特徴とするフッ化物薄膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/06 ,  G02B 1/11

FI (2)：

C23C14/06 G ,  G02B1/10 A

F-Term (16)：

2K009AA04 ,  2K009CC06 ,  2K009DD04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA42 ,  4K029BC07 ,  4K029CA06 ,  4K029DA03 ,  4K029DC16 ,  4K029DC26 ,  4K029DC34 ,  4K029DC40 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01