Pat
J-GLOBAL ID:200903031930616450

半導体パターン計測方法、およびプロセス管理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003397364
Publication number (International publication number):2005156436
Application date: Nov. 27, 2003
Publication date: Jun. 16, 2005
Summary:
【課題】 パターンの断面形状の変化に対しても安定で高精度なパターン寸法計測手法を実現し、さらに比較的計算量を少なくして計算時間がかからないようにした半導体パターン計測方法を提供する。【解決手段】 測長SEM上に構築したパターン計測システムにおいて、予め、所定の画像処理手法におけるパターンの断面形状と計測誤差との関係を電子線シミュレーションにより評価しておき、実際の寸法計測時には、走査型電子顕微鏡の画像信号から評価対象パターンの寸法計測を実施し、予め評価しておいたパターンの断面形状と計測誤差との関係に基づき、評価対象パターンの寸法計測誤差を推定し、これを補正することにより、パターン立体形状に依存した寸法誤差を排除した高精度な計測を実現する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
予め、所定の画像処理手法におけるパターンの断面形状と計測誤差との関係を評価しておく第1ステップと、 実際の寸法計測時には、走査型電子顕微鏡の画像信号から評価対象パターンの寸法計測を実施し、予め評価しておいた前記パターンの断面形状と計測誤差との関係に基づいて、前記評価対象パターンの寸法計測の誤差を補正する第2ステップとを有することを特徴とする半導体パターン計測方法。
IPC (3):
G01B15/00 ,  G01N23/225 ,  H01L21/66
FI (3):
G01B15/00 B ,  G01N23/225 ,  H01L21/66 J
F-Term (39):
2F067AA21 ,  2F067AA26 ,  2F067BB01 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067EE10 ,  2F067FF00 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067PP13 ,  2F067QQ02 ,  2F067QQ11 ,  2F067RR20 ,  2F067RR21 ,  2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001JA15 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106CA40 ,  4M106DB05 ,  4M106DB12 ,  4M106DB18 ,  4M106DB20 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page