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J-GLOBAL ID：200903031931427448

結晶成長方法及び結晶成長用ラジカル発生装置

Inventor：
大塚 武夫

About 大塚 武夫

, 
堀江 香代子

About 堀江 香代子


Applicant, Patent owner：
日本ビクター株式会社

About 日本ビクター株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992078469
Publication number (International publication number)：1993234892
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 低抵抗、かつ、高キャリア濃度のP型II-VI族化合物半導体結晶(例えば、ZnSe結晶)のエピタキシャル成長方法及びその装置を提供する。【構成】 導入ガス(窒素ガス)をECR(電子サイクロトロン共鳴)のマイクロ波放電によりプラズマ分解し、これを原料分子線が供給された基板表面へ照射して、成長を行なう。プラズマ分解させるラジカル発生装置(ラジカルガン25)の放電室(25A)の壁面(25B)または全体を、成長結晶させる構成元素(原料分子線)またはその混合物で形成しておく。
Claim (excerpt)：
化合物薄膜の分子線エピタキシャル成長方法であって、導入ガスをマイクロ波放電によりプラズマ分解し、これを原料分子線が供給された基板表面へ照射して成長を行なうようにしたことを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3)：
H01L 21/203 ,  B01J 19/08 ,  C30B 23/08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開昭62-229823
  • 特開平3-185816
  • 特開昭63-303889
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