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J-GLOBAL ID:200903031953795343
発光素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平田 忠雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006280731
Publication number (International publication number):2008098526
Application date: Oct. 13, 2006
Publication date: Apr. 24, 2008
Summary:
【課題】素子内部に蛍光体を配したものであっても、転位密度を小さくして素子の性能の悪化を抑制する。【解決手段】発光層を有するエピタキシャル層14が成長基板11の表面11a上に形成されるLEDチップ1において、成長基板11の表面11aに形成された凹部11bと、成長基板11の凹部11bに配置され、発光層から発せられる光により励起されて波長変換光を発する蛍光体を含有した黄色蛍光部12と、成長基板11の表面11aを黄色蛍光部12とともに被覆し、エピタキシャル層14が成長可能な材料からなる被覆層13と、を備えた。【選択図】図1
Claim (excerpt):
発光層を有するエピタキシャル層が成長基板の表面上に形成される発光素子において、
前記成長基板の前記表面に形成された凹部と、
前記成長基板の前記凹部に配置され、前記発光層から発せられる光により励起されて波長変換光を発する蛍光体を含有した蛍光部と、
前記成長基板の前記表面を前記蛍光部とともに被覆し、前記エピタキシャル層が成長可能な材料からなる被覆層と、を備えたことを特徴とする発光素子。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (10):
5F041AA03
, 5F041AA05
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CB36
, 5F041DA09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-367882
Applicant:シャープ株式会社
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