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J-GLOBAL ID：200903031961402997

表面処理方法

Inventor：
一木 克則

About 一木 克則

, 
山内 和雄

About 山内 和雄

, 
桧山 浩国

About 桧山 浩国

, 
寒川 誠二

About 寒川 誠二


Applicant, Patent owner：
株式会社荏原製作所

About 株式会社荏原製作所


Agent (1)： 渡邉 勇 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001088888
Publication number (International publication number)：2002289584
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：
【要約】【課題】 安価かつコンパクトな構成で大口径のビームを被処理物に照射することができ、且つ微細パターンに対して高精度の加工を可能とする表面処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ中に正イオンと負イオンとを生成するプラズマ生成手段2と、生成された正イオンと負イオンとを選択的にプラズマから引き出すと共に所定方向に向かって加速するイオン引出手段7とを具備し、正イオンと負イオンとを選択的に被処理物Xに照射する。特に、正イオンと負イオンとを交互にプラズマから引き出して、被処理物に照射することが好ましく、負イオンのみを選択的に引き出して、被処理物に照射するようにしてもよい。また、これらを中性化して、中性粒子ビームとして被処理物に照射するようにしてもよい。
Claim (excerpt)：
プラズマ中に正イオンと負イオンとを生成するプラズマ生成手段と、前記生成された正イオンと負イオンとを選択的に前記プラズマから引き出すと共に所定方向に向かって加速するイオン引出手段とを具備し、前記正イオンと負イオンとを選択的に被処理物に照射することを特徴とする表面処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  B23K 15/00 508 ,  H01L 21/31 ,  B23K101:40
FI (4)：
B23K 15/00 508 ,  H01L 21/31 C ,  B23K101:40 ,  H01L 21/302 B
F-Term (26)：
4E066AA00 ,  4E066BA13 ,  5F004AA06 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004DB25 ,  5F004EB02 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DP03 ,  5F045EH06 ,  5F045EH11 ,  5F045EH17 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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