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J-GLOBAL ID：200903031963954024

正特性サーミスタ及びその製造方法

Inventor： 後藤 泰司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994089584
Publication number (International publication number)：1995297009
Application date： Apr. 27, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 発熱体やスイッチング素子として用いられている正の抵抗温度特性を有する正特性サーミスタにおいて、その電気的特性のなかで、特に抵抗温度係数および抵抗変化幅の大きな正特性サーミスタを得ることを目的とする。【構成】 チタン酸バリウムを主成分として、半導体化元素やSi,Mn,Alを微量添加されてなる組成物Aに、BaTinO2n+1(n=2,3,4)で表される組成物Bを、組成物Aの1molに対して0.1〜4.0mol%添加したものでサーミスタ素子を形成し、その後電極を設けるものである。

Claim (excerpt)：

サーミスタ素子と、このサーミスタ素子表面に設けた少なくとも一対の電極とを備え、前記サーミスタ素子は、チタン酸バリウムからなる主成分に、副成分として、希土類元素あるいはNb,Sb,Biの酸化物のうち少なくとも一種類以上と、SiO2,MnO2,Al2O3とを添加含有した組成物Aと、BaTinO2n+1(n=2,3,4)で表される組成物Bとからなる正特性サーミスタ。

IPC (3)：

H01C 7/02 ,  C04B 35/46 ,  C04B 35/64

FI (2)：

C04B 35/46 N ,  C04B 35/64 L