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J-GLOBAL ID:200903031964206366

半導体発光デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (11): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007163972
Publication number (International publication number):2007235183
Application date: Jun. 21, 2007
Publication date: Sep. 13, 2007
Summary:
【課題】青色発光素子と蛍光体とを組み合わせてなる半導体発光デバイスの色むらを抑制し、色むらが少ない半導体発光デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光デバイスは、基板と、基板の上に搭載された青色LEDと、青色LEDの周囲を封止する黄色系蛍光体粒子および母材の混合体からなる蛍光体層とを備えたチップ型の半導体発光デバイスである。黄色系蛍光体粒子は、青色LEDが放つ青色光を吸収して550nm以上で600nm以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つものであって、化学式(Sr1-a1-b1-x Baa1Cab1Eux )2 SiO4 (0≦a1≦0.3、0≦b1≦0.8、0<x<1)で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体である。この珪酸塩蛍光体の粒子は、樹脂中にほぼ均一に分散しやすいので、良好な白色光が得られる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
430nmを超え500nm以下の波長領域に主発光ピークを有する青色光を放つ青色発光ダイオードと、前記青色発光ダイオードが放つ青色光を吸収して505nm以上598nm以下の波長領域に主発光ピークを有する蛍光を放つ蛍光体とを組み合わせ、前記蛍光体と樹脂とを用いて形成した蛍光体層によって青色発光ダイオードを覆う構造の半導体発光デバイスであって、 前記蛍光体を、(Sr1-a3-b3-xBaa3Cab3Eux)2SiO4の化学式で表される化合物を主体にしてなる、中心粒径が0.5μm以上30μm以下の、斜方晶系の結晶構造を有する珪酸塩蛍光体にし、さらに、前記蛍光体層の少なくとも青色発光ダイオードの主光取り出し面上に位置する表面が、平坦でかつ前記主光取り出し面に対して平行であることを特徴とする半導体発光デバイス。 ただし、a3、b3、xは、各々、0≦a3≦1、0≦b3≦1、0<x<1を満足する数値である。
IPC (1):
H01L 33/00
FI (2):
H01L33/00 N ,  H01L33/00 C
F-Term (18):
5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA40 ,  5F041DA01 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041FF04 ,  5F041FF11
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