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J-GLOBAL ID:200903031992555783
放電プラズマ処理方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
河備 健二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001200835
Publication number (International publication number):2002237480
Application date: Jul. 02, 2001
Publication date: Aug. 23, 2002
Summary:
【要約】【課題】 大面積基材の処理が可能で、均一で高速処理及が可能で、さらに、基材にダメージを与えない常圧プラズマ処理方法の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下、対向する電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該電極間に処理ガスを導入しパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを、放電空間外に配置された被処理基材に誘導して接触させることを特徴とする放電プラズマ処理方法。この方法を採用することにより、大面積基材を容易に処理することができ、さらに、処理中の処理基材への電気的、熱的負担を軽減することができるようになった。
Claim (excerpt):
大気圧近傍の圧力下、対向する電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該電極間に処理ガスを導入しパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを、放電空間外に配置された被処理基材に誘導して接触させることを特徴とする放電プラズマ処理方法。
IPC (6):
H01L 21/304 645
, B01J 19/08
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/26
, H05H 1/46
FI (6):
H01L 21/304 645 C
, B01J 19/08 H
, H01L 21/205
, H05H 1/26
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 N
F-Term (40):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075BC07
, 4G075BC10
, 4G075CA47
, 4G075CA62
, 4G075CA63
, 4G075DA18
, 4G075EB41
, 4G075EB42
, 4G075EB43
, 4G075EC01
, 4G075EC21
, 4G075EE01
, 4G075EE02
, 4G075EE12
, 4G075FB01
, 4G075FB02
, 4G075FB06
, 4G075FB12
, 4G075FC15
, 5F004AA14
, 5F004BA04
, 5F004BB11
, 5F004BB29
, 5F004BD01
, 5F004BD04
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F045AA08
, 5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045AB33
, 5F045AB34
, 5F045AE29
, 5F045DP22
, 5F045EH08
, 5F045EH13
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