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J-GLOBAL ID：200903032019420625

微細レジストパターンの形成方法

Inventor： 塙 哲郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992337226
Publication number (International publication number)：1994186754
Application date： Dec. 17, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、従来の化学増幅ポジ型レジストを用いて、矩形性よく、かつ寸法制御性よく、レジストパターンを形成することである。【構成】 半導体基板2の上に、ベース樹脂および、光化学反応により分解してプロトン酸を発生するプロトン酸発生剤を含む、化学増幅ポジ型レジスト層3を形成する。化学増幅ポジ型レジスト層3に、画像を形成するために、光8を選択的に照射する。光8を照射した後の化学増幅ポジ型レジスト層3の表面を、酸性水溶液1で処理し、該レジスト層3の表面に酸を含ませる。酸で処理された化学増幅ポジ型レジスト層3をベークする。化学増幅ポジ型レジスト層を現像し、それによって、レジストパターン7を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に、ベース樹脂および、光化学反応により分解してプロトン酸を発生するプロトン酸発生剤を含む、化学増幅ポジ型レジスト層を形成する工程と、前記化学増幅ポジ型レジスト層に、画像を形成するために、光を選択的に照射する工程と、前記光を照射した後の前記化学増幅ポジ型レジスト層の表面を酸で処理し、該レジスト層の表面に酸を含ませる工程と、酸で処理された前記化学増幅ポジ型レジスト層をベークする工程と、前記化学増幅ポジ型レジスト層を現像し、それによって、レジストパターンを形成する工程と、を備えた、微細レジストパターンの形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/38 512 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027