Pat

J-GLOBAL ID：200903032028374210

Moスパッターリングターゲット材及びその製造方法

Inventor： 土屋 満
Applicant, Patent owner： 東京タングステン株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999033006
Publication number (International publication number)：2000234167
Application date： Feb. 10, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 スパッター時の条件によリパーティクルが多量に発生したり、アーキングが起きるという問題を解消した品質の良いMoスパッターリングターゲット材とその製造方法とを提供すること。【解決手段】 Moスパッターリングターゲット材は、Mo圧延材を熱処理する事により得られるランダムな結晶方位を備えた再結晶Mo板であって、再結晶粒径の平均が100μm以下である。このMoスパッターリングターゲット材を製造するには、Mo素材から圧延加工率70%以上の圧延加工を施して相対密度が99.5%のMo板を得、1100°C〜1200°Cで熱処理し、再結晶させて100μm以下の均粒な組織を有するMo板からなるスパッターリングターゲット材を得ることによる。

Claim (excerpt)：

Mo圧延材を熱処理する事により得られるランダムな結晶方位を備えた再結晶Mo板であって、再結晶粒径の平均が100μm以下であることを特徴とするMoスパッターリングターゲット材。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C22F 1/18 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 694

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  C22F 1/18 C ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 694 A

F-Term (7)：

4K029BA11 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-150356