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J-GLOBAL ID：200903032035137615

炭素系物質の薄膜形成方法及び形成装置

Inventor： 前田 健司
Applicant, Patent owner： ダイキン工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994084606
Publication number (International publication number)：1995291773
Application date： Apr. 22, 1994
Publication date： Nov. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高品質なダイヤモンドやC60などの炭素系物質の薄膜を形成する。【構成】 Si基板11の表面にダイヤモンド薄膜を形成するに際し、真空中においてC試料へのアブレーション用レーザ光L2の照射により微粒化されたCを生成する。そして、この超微粒子Cを、H2 の供給、高電圧の印加、紫外線レーザ光の照射によりサイズ効果が得られるnmオーダまで微粒化する。Si基板11の表面に超微粒子Cを堆積させ、この超微粒子Cに紫外線レーザ光L1を照射して、光化学反応によりダイヤモンドの結晶を選択的に成長させ、Si基板11表面にダイヤモンドの薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板(11)の表面に炭素系物質の薄膜を形成する形成方法であって、真空中において炭素試料(4) へのレーザ光(L2)の照射により超微粒化された炭素を生成する超微粒子生成工程と、該超微粒子生成工程によって生成された超微粒子炭素を基板(11)の表面に散布する超微粒子散布工程と、該超微粒子散布工程によって基板(11)の表面に散布された超微粒子炭素に所定の照射条件の反応光(L1)を照射し、光化学反応により特定の炭素系物質の結晶を前記反応光の照射条件に応じて選択的に成長させる薄膜形成工程とからなる炭素系物質の薄膜形成方法。

IPC (7)：

C30B 1/10 ,  B01J 19/12 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28 ,  C30B 29/02 ,  C30B 29/04