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J-GLOBAL ID：200903032038565910

プラズマエッチング方法

Inventor： 堀尾 正弘
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321747
Publication number (International publication number)：1993160077
Application date： Dec. 05, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 積層されたシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を同一のエッチング装置(同一のエッチングチャンバ)で連続的にエッチングする。これにより、スループットを高める。【構成】 シリコン酸化膜をエッチングするときエッチングガスとしてCHF3,CF4およびArを用いる一方、上記シリコン窒化膜をエッチングするときエッチングガスとしてCHF3,CF4,ArおよびO2を用いる。シリコン窒化膜をエッチングするときO2ガスのCHF3,CF4およびArガスに対する流量比(O2/CHF3+CF4+Ar)を20%以上に設定して、エッチングレート比(SiN/SiO2)を約2とする。

Claim (excerpt)：

積層されたシリコン酸化膜とシリコン窒化膜をエッチングするプラズマエッチング方法であって、上記シリコン酸化膜をエッチングするときエッチングガスとしてCHF3,CF4およびArを用いる一方、上記シリコン窒化膜をエッチングするときエッチングガスとしてCHF3,CF4,ArおよびO2を用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-154627
  
• 特開平3-232226
  
• 特開平3-237716