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J-GLOBAL ID：200903032043543649

磁気抵抗式磁界センサ

Inventor： スケープ コルネリス マリヌス ,  フェイス マルチヌス アデラ マリア
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998501382
Publication number (International publication number)：1999510911
Application date： May. 16, 1997
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】狭窄部(7)を介して相互連結された2つの磁性層(1,2)を有する磁気抵抗式磁界センサ。特定例では、狭窄部(7)を形成するように磁性材料で充填された孔(5)を有する中間の非金属層(3)によって2つの磁性層(1,2)を互いに分離する。他の例では、磁性層(1,2)と狭窄部(7)とをほぼ同一面とする(図8)。好適例では、狭窄部(7)の幅(wc)を1ミクロンよりも狭くし、理想的には100nm程度とする。狭窄部の両端間の電気抵抗値を測定することにより、すなわち磁区内抵抗効果に対する磁区間抵抗効果の相対的役割を高め、これに対応させて磁気抵抗値の比を高める。更に、センサの電気特性は主として狭窄部(7)から得られ、一方、その磁気特性は主として磁性層(1,2)から得られる為、センサの電気特性と磁気特性とを少なくとも大きな範囲に亘って独立して調整することができる。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗式磁界センサにおいて、この磁界センサが、狭窄部を介して相互連結された2つの磁性層を有していることを特徴とする磁界センサ。