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J-GLOBAL ID：200903032057484238

III-V族窒化物半導体の層構造体、その製造方法

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003029899
Publication number (International publication number)：2003324068
Application date： Feb. 06, 2003
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高品質のGaN系半導体の結晶成長層を有する層構造体とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の上に、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)から成るバッファ層2を介してGaNのようなIII-V族窒化物半導体の結晶成長層3が形成されているIII-V族窒化物半導体の層構造体Aであり、この層構造体は、基板の上に、温度600〜900°Cで、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)から成るバッファ層を成膜したのち、そのバッファ層の上に、III-V族窒化物半導体から成る結晶成長層を形成して製造される。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上に形成されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)から成るバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたIII-V族窒化物半導体の結晶成長層とを有することを特徴とするIII-V族窒化物半導体の層構造体。

F-Term (8)：

5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-288155   Applicant：三洋電機株式会社
• 炭化ケイ素と窒化ガリウムとの間の緩衝構造体及びそれを利用した半導体デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-516809   Applicant：クリーリサーチインコーポレテイッド
• 高抵抗GaN結晶層の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-058829   Applicant：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-292320   Applicant：松下電子工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum reactive evaporation
• Influences of temperature ramping rate on GaN buffer layers and subsequent GaN overlayers grown by m