半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000167327
Publication number (International publication number)：2001352062
Application date： Jun. 05, 2000
Publication date： Dec. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】寄生バイポーラトランジスタの動作が抑制された半導体装置を提案する。【解決手段】 p型ボディ領域14にp型ボディ領域14よりバンドギャップが小さい材料からなる小バンドギャップ領域18をソース電極26に接するように形成する。p型ボディ領域14の多数キャリアに対するp型ボディ領域14と小バンドギャップ領域18との間のポテンシャルバリアが低いので、p型ボディ領域14に残存する多数キャリアをp型ボディ領域14内の小バンドギャップ領域18を介して効率良くソース電極26へ注入することができる。この結果、p型ボディ領域14をベースとする寄生バイポーラトランジスタの動作を十分に抑制することができる。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体材料からなりチャネルが形成されるボディ領域と、該ボディ領域の少なくとも一部を挟むよう配置され他導電型の半導体材料からなるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域に接するよう形成されたソース電極と、を備える半導体装置であって、前記ボディ領域内に該ボディ領域の半導体材料よりバンドギャップの小さい一導電型の半導体材料からなり前記ソース電極へ多数キャリアを注入可能な小バンドギャップ領域を備える半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 654 , H01L 29/161 , H01L 21/336

FI (8)：

H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 654 Z , H01L 29/163 , H01L 29/78 658 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-284034 Applicant：株式会社デンソー

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