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J-GLOBAL ID：200903032067736375

半導体素子の製造方法と製造装置

Inventor： 小原 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999156689
Publication number (International publication number)：2000349042
Application date： Jun. 03, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 パルスレーザ照射による瞬間高温アニールによる活性化を行う際に、レーザ光の損失を低減させてボロンの活性化を行ない、IGBT、Power-MOS等の裏面電極に理想的な不鈍物濃度プロファイルを実現することができる半導体素子の製造方法とその製造装置。【解決手段】 照射したパルスのレーザ光22の反射光を、再度、半導体基板31へ反射する凹面ミラー32を半導体基板31の直上に設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基板の裏面電極の形成に際し、不純物を前記半導体基板へイオン注入し、熱処理によって前記不純物を活性化させる半導体素子の製造方法において、前記熱処理は、レーザ発振器から出射したレーザ光を光学系を介して前記半導体基板に照射するとともに、前記半導体基板からの反射光をミラーで反射して前記半導体基板に戻して照射することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/268 J ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 A

F-Term (10)：

5F005AA02 ,  5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AE01 ,  5F005AE09 ,  5F005AF02 ,  5F005AH04 ,  5F005FA03 ,  5F005GA01